50WN1K0I(CH) – MOSFET TO220F N CHANNEL 7A 500V

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  • Alta velocidad (tf=100ns típ).
  • Alta tensión de ruptura (VCBO=1500V).
  • Alta fiabilidad (adopción del proceso HVP).
  • Adopción del proceso MBIT.

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  • Bajo voltaje de saturación colector-emisor VCE(sat)
  • Buena linealidad hFE.
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