CS12N60F – MOSFET 600V 12A CANAL N +D TO220AF

Descripción general:

CS12N60F A9R, el canal N de silicio mejorado VDMOSFETs, se obtiene mediante la tecnología planar auto alineada que reducen la pérdida de conducción, mejoran la conmutación rendimiento y mejorar la energía de la avalancha. el transistor se puede utilizar en varios circuitos de conmutación de alimentación para el sistema Miniaturización y mayor eficiencia. La forma del paquete es TO-220F, que cumple con el estándar RoHS.

Características:

Cambio rápido l Resistencia de encendido baja (Rdson≤0.75Ω) l Carga de puerta baja (datos típicos: 40 nC) l Capacitancias de transferencia inversa baja (típico: 10pF) Prueba de energía de avalancha de pulso único l 100% Aplicaciones: Circuito del interruptor de alimentación del adaptador y el cargador

CS12N60F TO220F