ME15N10G – MOSFET CHANEL N 14A 100V TO252-3L +D

DESCRIPCIÓN GENERAL
El ME15N10 es la potencia del modo de mejora lógica de canal N
transistores de efecto de campo, usando alta densidad celular, trinchera DMOS
tecnología. Este proceso de alta densidad está especialmente diseñado para
minimizar la resistencia del estado. Estos dispositivos son especialmente adecuados
para aplicaciones de bajo voltaje como teléfonos celulares, computadoras portátiles
administración de energía de la computadora y otros circuitos alimentados por batería,
y baja pérdida de potencia en línea que se necesita en un contorno muy pequeño
Paquete de montaje en superficie.
CARACTERISTICAS
● RDS(ON)≦100mΩ@VGS=10V
● Diseño de celda de súper alta densidad para un RDS(ON) extremadamente bajo
● Resistencia de encendido excepcional y corriente continua máxima
capacidad
APLICACIONES
● Administración de energía en el cuaderno
● Convertidor CC/CC
● Interruptor de carga
● Inversor de pantalla LCD

ME15N10G TO252