Características
Tecnología de compuerta de trinchera y oblea delgada (serie G6H-II)
Voltaje de saturación de colector a emisor bajo: VCE (sat) = 1,9 V típico
Conmutación de alta velocidad: tr = 60 ns típ., tf = 200 ns típ.
Baja corriente de fuga: ICES = 1 A máx.
Paquete aislado TO-220FL
IGBT, TRANSISTORES
RJP63K2DP(CH) – IGBT CANAL N 600V 30A TO220FL sd
RJP63K2DP(CH) – IGBT CANAL N 600V 30A TO220FL sd
There are no reviews yet.