DG301 – IGBT N MOSFET 40A 330V TO263

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  • Alto voltaje de ruptura y alta corriente.
  • Bajo voltaje de saturación colector-emisor VCE(sat)
  • Buena linealidad hFE.
  • Complementario a 2SD1733

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  • Alta velocidad (tf=100ns tipo).
  • Alta tensión de ruptura (VCBO=1500V).
  • Alta fiabilidad (adopción del proceso HVP).
  • Adopción del proceso MBIT.

  SKU: 2SC3856

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  • Alta Frecuencia de Transición: fT=70MHZ (Typ.)
  • Complementario a UTC 2SC4793

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  • Trr, Qrr e IRRM reducidos
  • Baja figura de mérito (FOM) Ron x Qg
  • Baja capacitancia de entrada (Ciss)
  • Bajas pérdidas de conmutación debido a la reducción de Qrr
  • Carga de compuerta ultrabaja (Qg)
  • Calificación de energía de avalancha (UIS)

  SKU: 11N60C3(CH)

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