FDPF51N25 – MOSFET N CHANNEL 28A 250V +D TO220F

Descripción
Estos efectos de campo de potencia del modo de mejora del canal N
Los transistores se producen utilizando el sistema plano patentado de Fairchild.
banda, tecnología DMOS.
Esta avanzada tecnología se ha diseñado especialmente para
minimizar la resistencia en el estado, proporcionar una conmutación superior
rendimiento y soportar pulsos de alta energía en la avalancha
y modo de conmutación. Estos dispositivos son muy adecuados para altas
fuentes de alimentación conmutadas eficientes y factor de potencia activo
corrección.

Features
• RDS(on) = 0.060 Ω @ VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 55 nC)
• Low Crss ( typical 63 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability

FDPF51N25 TO220F