Descripción
Estos transistores de efecto de campo de potencia de modo de mejora de canal N se producen utilizando la banda plana, patentada de Fairchild,
Tecnología DMOS.
Esta tecnología avanzada se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta energía en la avalancha y
modo de conmutación. Estos dispositivos son muy adecuados para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia y factor de potencia activo.
corrección.
Features
• 5A, 500V, RDS(on) = 1.5Ω @VGS = 10 V
• Low gate charge ( typical 12.8 nC)
• Low Crss ( typical 9 pF)
• Fast switching
• 100% avalanche tested
• Improved dv/dt capability