FGA60N65 – IGBT 60A 650V +D TO3PN

Descripción general
Utilizando la novedosa tecnología IGBT de parada de campo, la nueva serie de Fairchild de
Los IGBT de segunda generación de parada de campo ofrecen el rendimiento óptimo
para aplicaciones de inversor solar, UPS, soldador, telecomunicaciones, ESS y PFC donde las bajas pérdidas por conducción y conmutación son esenciales

Características
• Temperatura máxima de unión: TJ = 175oC
• Coeficiente de temperatura positivo para un fácil funcionamiento en paralelo
• Capacidad de alta corriente
• Bajo voltaje de saturación: VCE (sat) = 1,9 V (típ.) @ IC = 60 A
• Conmutación rápida: EOFF = 7,5 uJ/A
• Ajustar la distribución de parámetros
• RoHS

FGA60N65 TO3P