FQPF9N50C – MOSFET N-CHANNEL 9A 500V +D TO220F

Descripción general
Estos efectos de campo de potencia del modo de mejora del canal N
Los transistores se producen utilizando la propiedad de Fairchild,
banda plana, tecnología DMOS.
Esta avanzada tecnología se ha diseñado especialmente para
minimizar la resistencia en el estado, proporcionar una conmutación superior
Rendimiento y soportar pulsos de alta energía en el
avalancha y modo de conmutación. Estos dispositivos están bien
adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta eficiencia,
corrección activa del factor de potencia, balastos electrónicos para lámparas
basado en topología de medio puente.

Características
• 9 A, 500 V, RDS (encendido) = 0,8 Ω @VGS = 10 V
• Carga de compuerta baja (típica 28 nC)
• Low Crss (típico 24 pF)
• Cambio rápido
• 100 % probado contra avalanchas
• Capacidad dv/dt mejorada

FQPF9N50C TO220F