GT60M303 – IGBT 60A 900V TO264

APLICACIONES DE CONMUTACIÓN DE ALTA POTENCIA
IGBT de cuarta generación
z FRD incluido entre emisor y colector
z Tipo de modo de mejora
z IGBT de alta velocidad: tf = 0,25 μs (TÍP.)
FRD: trr = 0,7 μs (TÍPICO)
z Tensión de saturación baja: VCE (sat) = 2,1 V (TYP.)

GT60M303 TO264