IRF1404 – MOSFET CANAL N 40V 162A 200W TO 220AB

Tecnología de proceso avanzada

Resistencia de encendido ultrabaja
Clasificación dinámica dv/dt
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Cambio rápido
Totalmente clasificado para avalanchas

Descripcion:

MOSFET de potencia HEXFET® de séptima generación de
International Rectifier utiliza procesamiento avanzado
técnicas para lograr una resistencia extremadamente baja por
área de silicio. Este beneficio, combinado con el rápido
velocidad de conmutación y diseño de dispositivo reforzado que
Los MOSFET de potencia HEXFET son bien conocidos por proporcionar
el diseñador con un extremadamente eficiente y confiable
dispositivo para su uso en una amplia variedad de aplicaciones.

IRF1404 TO220AB