IRFI3205 – MOSFET CANAL N 55V 64A 63W TO 220 FULL

Tecnología de proceso avanzada
Resistencia de encendido ultrabaja
paquete aislado
Aislamiento de alto voltaje = 2.5KVRMS
Sumidero a distancia de fuga de plomo. = 4,8 mm
Totalmente clasificado para avalanchas
TO-220 PAQUETE COMPLETO
Tipo de parámetro máx. Unidades
RθJC Unión a caja ––– 2,4 °C/W
Unión RθJA al ambiente ––– 65 °C/W
Resistencia termica

Descripcion
HEXFET de quinta generación de International Rectifier
utilizar técnicas de procesamiento avanzadas para lograr
resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este
beneficio, combinado con la rápida velocidad de conmutación y
diseño de dispositivo reforzado que los MOSFET de potencia HEXFET
son bien conocidos, proporciona al diseñador una experiencia extremadamente
dispositivo eficiente y fiable para su uso en una amplia variedad de
aplicaciones

IRFI3205 TO220F