■ RDS TÍPICO (activado) = 0,073 Ω
■ CAPACIDAD dv/dt EXTREMADAMENTE ALTA
■ 100 % PROBADO EN AVALANCHAS
■ NUEVO BENCHMARK DE ALTA TENSIÓN
■ CARGA DE PUERTA MINIMIZADA
DESCRIPCIÓN
El PowerMESH™II es la evolución del primer
generación de MESH OVERLAY™. Los refinamiento del diseño introducidos mejoran en gran medida el área de Ron*
figura de mérito mientras se mantiene el dispositivo a la vanguardia en lo que respecta a la velocidad de giro, puerta
carga y robustez.
APLICACIONES
■ CONMUTACIÓN DE ALTA CORRIENTE Y ALTA VELOCIDAD
■ FUENTES DE ALIMENTACIÓN ININTERRUMPIDA (SAI)
■ CONVERTIDORES CC-CA PARA TELECOMUNICACIONES,
EQUIPOS INDUSTRIALES Y DE ILUMINACIÓN
MOSFET, TRANSISTORES
IRFP250 – MOSFET CANAL N 200V 33A 190W +D TO 247AD
IRFP250 – MOSFET CANAL N 200V 33A 190W D TO 247AD